Microsemi Corporation - APTCV60TLM70T3G

KEY Part #: K6532722

[4366ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    APTCV60TLM70T3G
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    POWER MODULE - IGBT.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation APTCV60TLM70T3G electronic components. APTCV60TLM70T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTCV60TLM70T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTCV60TLM70T3G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : APTCV60TLM70T3G
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : POWER MODULE - IGBT
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    IGBT ტიპი : Trench Field Stop
    კონფიგურაცია : Three Level Inverter
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 80A
    ძალა - მაქსიმუმი : 176W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.15nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : Yes
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : Module
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP3

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-GB90SA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • VS-GB75NA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT