[7374ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- RGP02-12E-M3/73
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GP 1.2KV 500MA DO204AL.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP02-12E-M3/73 electronic components. RGP02-12E-M3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP02-12E-M3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGP02-12E-M3/73 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
RGP02-12E-M3/73
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GP 1.2KV 500MA DO204AL
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
500mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.8V @ 100mA
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
300ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-204AL (DO-41)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
V30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,SINGLE TRENCH SKY RECT.
-
V30120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置