Toshiba Semiconductor and Storage - BAS316,H3F

KEY Part #: K6458608

BAS316,H3F ფასები (აშშ დოლარი) [3056256ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01210

Ნაწილი ნომერი:
BAS316,H3F
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F electronic components. BAS316,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS316,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS316,H3F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAS316,H3F
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 250mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.25V @ 150mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 3ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 200nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SC-76, SOD-323
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : USC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode