Ნაწილი ნომერი :
R6009KNJTL
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
535 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
16.5nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
540pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
94W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB