Infineon Technologies - IRF5210STRRPBF

KEY Part #: K6418577

IRF5210STRRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [68764ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.56861
  • 800 pcs$0.49703

Ნაწილი ნომერი:
IRF5210STRRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF5210STRRPBF electronic components. IRF5210STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5210STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF5210STRRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF5210STRRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 38A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2780pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.1W (Ta), 170W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.