Infineon Technologies - IPW50R190CEFKSA1

KEY Part #: K6404273

[2068ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IPW50R190CEFKSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IPW50R190CEFKSA1 electronic components. IPW50R190CEFKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW50R190CEFKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPW50R190CEFKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IPW50R190CEFKSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
    სერიები : CoolMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18.5A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 13V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6.2A, 13V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 510µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 47.2nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1137pF @ 100V
    FET თვისება : Super Junction
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 127W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO247-3
    პაკეტი / საქმე : TO-247-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • CPH6355-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 30V 3A CPH6.

    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • IRFR7440PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

    • TK16A60W5,S4VX

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

    • IPA50R380CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.