Ნაწილი ნომერი :
ZXMP6A13FQTA
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
900mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
2.9nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
219pF @ 30V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
625mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-23
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3