Ნაწილი ნომერი :
TSM200N03DPQ33 RGG
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
345pF @ 25V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-PDFN (3x3)