IXYS - IXTM12N100

KEY Part #: K6400899

[3237ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IXTM12N100
    მწარმოებელი:
    IXYS
    Დეტალური აღწერა:
    POWER MOSFET TO-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IXYS IXTM12N100 electronic components. IXTM12N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM12N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTM12N100 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IXTM12N100
    მწარმოებელი : IXYS
    აღწერა : POWER MOSFET TO-3
    სერიები : GigaMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 170nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4000pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-204AA
    პაკეტი / საქმე : TO-204AA, TO-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FDD8444-F085P

      ON Semiconductor

      NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.

    • FDD4243-F085P

      ON Semiconductor

      PMOS DPAK 40V 44 MOHM.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.