Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16HT-E3/81

KEY Part #: K6442679

FESB16HT-E3/81 ფასები (აშშ დოლარი) [93548ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.41797
  • 800 pcs$0.38285

Ნაწილი ნომერი:
FESB16HT-E3/81
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 500V 16A TO263AB. Rectifiers 500 Volt 16 Amp 50ns Single
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16HT-E3/81 electronic components. FESB16HT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16HT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16HT-E3/81 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FESB16HT-E3/81
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 500V 16A TO263AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 500V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 16A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.5V @ 16A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 500V
Capacitance @ Vr, F : 145pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GP2D010A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.

  • GP2D006A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.

  • GP2D005A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.

  • GDP03S060C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.

  • LXA08B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr

  • VS-MBRD320PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.