Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5392G B0G

KEY Part #: K6435061

1N5392G B0G ფასები (აშშ დოლარი) [2750629ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01345

Ნაწილი ნომერი:
1N5392G B0G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N5392G B0G electronic components. 1N5392G B0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5392G B0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5392G B0G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5392G B0G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 1.5A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AC, DO-15, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AC (DO-15)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MBRD1020CT-TP

    Micro Commercial Co

    10A20VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 10A SCHOTTKY RECTIFIER

  • CRS03(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT. Schottky Diodes & Rectifiers SBD 1A VRRM=30V VFM=0.45V

  • 1SS424(TPL3,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SSM. Schottky Diodes & Rectifiers High-Speed 0.50V VF 30V VRM 300mA 1A

  • SR220 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE SCHOTTKY 200V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 200V Schottky Rectifier

  • 1N5392G B0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC.

  • 1N5392GHB0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC.