Taiwan Semiconductor Corporation - HS2JA M2G

KEY Part #: K6426747

HS2JA M2G ფასები (აშშ დოლარი) [969334ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03816

Ნაწილი ნომერი:
HS2JA M2G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC. Rectifiers 75ns 1.5A 600V Recov Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS2JA M2G electronic components. HS2JA M2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS2JA M2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS2JA M2G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : HS2JA M2G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 1.5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NRVTSAF260ET3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA-FL. Schottky Diodes & Rectifiers 60V 2A TRENCH RECTIFIER I

  • MUR110RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers 100V 1A UltraFast

  • MUR220RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL. Rectifiers 200V 2A UltraFast

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • RS1GB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 400V

  • RS2B-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 100V