Taiwan Semiconductor Corporation - MBR10200HC0G

KEY Part #: K6429081

MBR10200HC0G ფასები (აშშ დოლარი) [273998ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.13499

Ნაწილი ნომერი:
MBR10200HC0G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200HC0G electronic components. MBR10200HC0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR10200HC0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR10200HC0G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MBR10200HC0G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 10A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.05V @ 10A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DB3X313K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINI3.

  • DA3X107K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • 1SS190TE85LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

  • DB3X603K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 60V 500MA MINI3.

  • DB3X407K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA MINI3.

  • DB3X501K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MINI3.