VBO13-12AO2 ფასები (აშშ დოლარი) [4776ცალი საფონდო]
- 1 pcs$9.56935
- 10 pcs$9.52174
- Ნაწილი ნომერი:
- VBO13-12AO2
- მწარმოებელი:
- IXYS
- Დეტალური აღწერა:
- BRIDGE RECT 1P 1.2KV 18A FO-A. Bridge Rectifiers 13 Amps 1200V
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტირისტორები - TRIACs ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in IXYS VBO13-12AO2 electronic components. VBO13-12AO2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VBO13-12AO2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VBO13-12AO2 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
VBO13-12AO2
მწარმოებელი :
IXYS
აღწერა :
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 18A FO-A
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ტექნოლოგია :
Avalanche
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
1.2kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
18A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.8V @ 55A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
300µA @ 1200V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
QC Terminal
პაკეტი / საქმე :
4-Square, FO-A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
FO-A
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
GBPC1208W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 800V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 12 Amp Glass Passivated
-
GBPC1501W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 100 Volt 15 Amp Glass Passivated
-
GBPC1210W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1KV 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 12 Amp Glass Passivated
-
GBPC1202W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 12 Amp Glass Passivated
-
GBPC1204W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 400V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 12 Amp Glass Passivated
-
GBPC1510W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 15 Amp Glass Passivated
ცხელი ნაწილები
- VS-110MT140KPBF
- VUO84-16NO7
- VUB50-16PO1
- KBL403G T0G
- GBU8ML-7014M3/45
- GBU6JL-7001E3/45
- GBU6JL-5704E3/51
- GBU6DL-5302M3/45
- GBLA06L-6985M3/45
- GBL06L-7000E3/45
- G3SBA60-5410M3/51
- KBP305G C2G
- KBP206G C2G
- KBP154G C2
- KBP152G C2G
- KBPF404G B0G
- CBR1U-D020S H
- 3N250-E4/72
- KBP10M-M4/51
- MSD75-18
- MSD50-18
- APT60DF100HJ
- M3P100A-80
- TB2S-G
- 3N246-E4/45
- 3KBP06M-E4/45
- 3N253-E4/51
- RM20TPM-H
- RM20TPM-2H
- ME500810
- PBPC603
- ZXSBMR16PT8TA
- 3N259
- 3N248
- MB354-F
- RB155-BP
- GBPC104-E4/51
- 130MT100KB
- MP504W
- GUO40-08NO1
选择你的位置