GeneSiC Semiconductor - GA03JT12-247

KEY Part #: K6404199

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and დიოდები - გასწორება - მასივები ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 electronic components. GA03JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA03JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : GA03JT12-247

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Obsolete

FET ტიპი : -

ტექნოლოგია : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V

მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc) (95°C)

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 3A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -

Vgs (მაქს) : -

შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -

FET თვისება : -

დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 15W (Tc)

ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AB

პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.
IPA50R380CE

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.
IPA50R190CE

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.