Nexperia USA Inc. - PMZ1200UPEYL

KEY Part #: K6416434

PMZ1200UPEYL ფასები (აშშ დოლარი) [1676311ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02218
  • 10,000 pcs$0.02206

Ნაწილი ნომერი:
PMZ1200UPEYL
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V SOT883.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMZ1200UPEYL electronic components. PMZ1200UPEYL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMZ1200UPEYL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZ1200UPEYL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PMZ1200UPEYL
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET P-CH 30V SOT883
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 410mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.2nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 43.2pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DFN1006-3
პაკეტი / საქმე : SC-101, SOT-883

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.