Ნაწილი ნომერი :
S4PK-M3/86A
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 4A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
2.5µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-277, 3-PowerDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-277A (SMPC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C