Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16D1-5BIN

KEY Part #: K939579

AS4C32M16D1-5BIN ფასები (აშშ დოლარი) [25660ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.79472
  • 240 pcs$1.78579

Ნაწილი ნომერი:
AS4C32M16D1-5BIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA. DRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, ინტერფეისი - ტელეკომი, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები - განაცხადის სპეციფიკ, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ and ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური, ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BIN electronic components. AS4C32M16D1-5BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C32M16D1-5BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16D1-5BIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C32M16D1-5BIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (8x13)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • MR45V256AMAZAAT-L

    Rohm Semiconductor

    IC FRAM 256K SPI 15MHZ 8SOP. F-RAM 256K; SPI; 3.3V FeRAM 15MHz

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • CY7C199D-25SXE

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM

  • 6116LA20TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • AS8C401801-QC166N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM