Ნაწილი ნომერი :
PSMN2R2-30YLC,115
მწარმოებელი :
Nexperia USA Inc.
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.15 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.95V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
55nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
3310pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
141W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
LFPAK56, Power-SO8
პაკეტი / საქმე :
SC-100, SOT-669