Ნაწილი ნომერი :
RJK6018DPM-00#T1
მწარმოებელი :
Renesas Electronics America
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
30A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 15A, 10V
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
92nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4100pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
60W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-3PFM
პაკეტი / საქმე :
TO-3PFM, SC-93-3