Vishay Siliconix - SI3467DV-T1-GE3

KEY Part #: K6393716

SI3467DV-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [460923ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.08065
  • 3,000 pcs$0.08025

Ნაწილი ნომერი:
SI3467DV-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI3467DV-T1-GE3 electronic components. SI3467DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3467DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3467DV-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI3467DV-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.14W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-TSOP
პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.

  • IRFIBC40G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.

  • IRFI820G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.