Ნაწილი ნომერი :
IRFD9210PBF
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
400mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
8.9nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
170pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
პაკეტი / საქმე :
4-DIP (0.300", 7.62mm)