Infineon Technologies - BSZ086P03NS3GATMA1

KEY Part #: K6417276

BSZ086P03NS3GATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [296365ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.12480

Ნაწილი ნომერი:
BSZ086P03NS3GATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSZ086P03NS3GATMA1 electronic components. BSZ086P03NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ086P03NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ086P03NS3GATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSZ086P03NS3GATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 13.5A (Ta), 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 105µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 57.5nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±25V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4785pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TSDSON-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.