Ნაწილი ნომერი :
R6024ENJTL
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 24A LPT
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
24A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
165 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
70nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1650pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
40W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
LPTS (D2PAK)
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB