Taiwan Semiconductor Corporation - RSFMLHRVG

KEY Part #: K6437454

RSFMLHRVG ფასები (აშშ დოლარი) [1623635ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02278

Ნაწილი ნომერი:
RSFMLHRVG
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 500MA SUB SMA.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RSFMLHRVG electronic components. RSFMLHRVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSFMLHRVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSFMLHRVG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RSFMLHRVG
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 500MA SUB SMA
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 500mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 500mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 500ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Sub SMA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MSC010SDA070K

    Microsemi Corporation

    DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD

  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • VB30120S-E3/8W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • NSB8AT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM