Sanken - RU 1BV

KEY Part #: K6457262

RU 1BV ფასები (აშშ დოლარი) [417505ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09015
  • 9,000 pcs$0.08970

Ნაწილი ნომერი:
RU 1BV
მწარმოებელი:
Sanken
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Sanken RU 1BV electronic components. RU 1BV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RU 1BV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RU 1BV პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RU 1BV
მწარმოებელი : Sanken
აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 250MA AXIAL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 250mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2.5V @ 250mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 400ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-4EVH02-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 200V SLIMDPAK.

  • SS14-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt

  • USB260HM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,600V,30NS,SMB UF Rectifier SMB

  • UH2CHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • UH2BHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • ESH2DHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD