IXYS - IXFH18N60P

KEY Part #: K6395225

IXFH18N60P ფასები (აშშ დოლარი) [24304ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.95970
  • 30 pcs$1.94995

Ნაწილი ნომერი:
IXFH18N60P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFH18N60P electronic components. IXFH18N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH18N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH18N60P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFH18N60P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
სერიები : HiPerFET™, PolarHT™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2500pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 360W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AD (IXFH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ