Microsemi Corporation - JANTXV1N6622US

KEY Part #: K6444309

[2493ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JANTXV1N6622US
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6622US electronic components. JANTXV1N6622US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6622US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N6622US პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N6622US
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/585
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 660V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.2A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 1.2A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 660V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • DB3Y313KEL

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • VS-8EWS12STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • VS-10WQ045FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

    • VS-STPS1045BTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

    • VS-MBRD330PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK.

    • VS-10TQ035SPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK.