Renesas Electronics America - 2SJ649-AZ

KEY Part #: K6393896

2SJ649-AZ ფასები (აშშ დოლარი) [53747ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.79857

Ნაწილი ნომერი:
2SJ649-AZ
მწარმოებელი:
Renesas Electronics America
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დენის მართვის მოდული and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Renesas Electronics America 2SJ649-AZ electronic components. 2SJ649-AZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ649-AZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SJ649-AZ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 2SJ649-AZ
მწარმოებელი : Renesas Electronics America
აღწერა : MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1900pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2W (Ta), 25W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220 Isolated Tab
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Isolated Tab

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ