Vishay Siliconix - SIRA06DP-T1-GE3

KEY Part #: K6396193

SIRA06DP-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [167720ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22053
  • 3,000 pcs$0.20708

Ნაწილი ნომერი:
SIRA06DP-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIRA06DP-T1-GE3 electronic components. SIRA06DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA06DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA06DP-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIRA06DP-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (მაქს) : +20V, -16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3595pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 5W (Ta), 62.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • FDN357N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.

  • NDS0605

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23.

  • SI2318DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23.

  • SI4497DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC.