თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. AS4C64M16D3B-12BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16D3B-12BIN

KEY Part #: K939103

AS4C64M16D3B-12BIN ფასები (აშშ დოლარი) [23510ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.94903
Ნაწილი ნომერი:
AS4C64M16D3B-12BIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA. DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მეხსიერება - ბატარეები, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება, ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), ინტერფეისი - მოდულები, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), ლოგიკა - ფლიპ ფლოპები and PMIC - დენის Ethernet (PoE) კონტროლერები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BIN electronic components. AS4C64M16D3B-12BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M16D3B-12BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16D3B-12BIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C64M16D3B-12BIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.425V ~ 1.575V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 96-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 96-FBGA (13x9)

Უახლესი ცნობები

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MR25H256CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • 7164S20TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP. SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM

  • 6116SA15TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • W978H6KBVX2E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 256Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C

  • EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • EDB5432BEBH-1DIT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 512M 16MX32 FBGA

ცხელი ნაწილები