Ნაწილი ნომერი :
FDA032N08
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
75V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
220nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
15160pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
375W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-3PN
პაკეტი / საქმე :
TO-3P-3, SC-65-3