Microsemi Corporation - APTGT50DA120TG

KEY Part #: K6533198

APTGT50DA120TG ფასები (აშშ დოლარი) [2120ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$20.43612
  • 100 pcs$19.57841

Ნაწილი ნომერი:
APTGT50DA120TG
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 75A 277W SP4.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50DA120TG electronic components. APTGT50DA120TG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50DA120TG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50DA120TG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGT50DA120TG
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 1200V 75A 277W SP4
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 75A
ძალა - მაქსიმუმი : 277W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.6nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP4
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP4

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT40GL120JU3

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.