STPSC4H065B-TR ფასები (აშშ დოლარი) [114275ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.32367
- 2,500 pcs$0.27297
- 5,000 pcs$0.25933
- 12,500 pcs$0.24958
- Ნაწილი ნომერი:
- STPSC4H065B-TR
- მწარმოებელი:
- STMicroelectronics
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 4A Schottky silicon carbide DPAK
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტირისტორები - სკკ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in STMicroelectronics STPSC4H065B-TR electronic components. STPSC4H065B-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STPSC4H065B-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STPSC4H065B-TR პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
STPSC4H065B-TR
მწარმოებელი :
STMicroelectronics
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.75V @ 4A
სიჩქარე :
No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F :
200pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DPAK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
-
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
ცხელი ნაწილები
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置