Vishay Siliconix - SI2319DDS-T1-GE3

KEY Part #: K6404865

SI2319DDS-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [479744ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.07710

Ნაწილი ნომერი:
SI2319DDS-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CHAN 40V.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI2319DDS-T1-GE3 electronic components. SI2319DDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2319DDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2319DDS-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI2319DDS-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CHAN 40V
სერიები : TrenchFET® Gen III
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 650pF @ 20V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1W (Ta), 1.7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3 (TO-236)
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRLR2905TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • NDF06N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP.

  • NDF08N50ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP.

  • NDF04N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP.

  • NDF05N50ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FP.

  • NDF03N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP.