Infineon Technologies - IPW60R180C7XKSA1

KEY Part #: K6397918

IPW60R180C7XKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [23556ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.70110
  • 10 pcs$1.51689
  • 100 pcs$1.24401
  • 500 pcs$0.95568
  • 1,000 pcs$0.80600

Ნაწილი ნომერი:
IPW60R180C7XKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R180C7XKSA1 electronic components. IPW60R180C7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R180C7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R180C7XKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPW60R180C7XKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
სერიები : CoolMOS™ C7
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 260µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1080pF @ 400V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 68W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO247-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.