IDH10G120C5XKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [10390ცალი საფონდო]
- 1 pcs$3.93545
- 10 pcs$3.55513
- 100 pcs$2.94326
- 500 pcs$2.56293
- 1,000 pcs$2.23223
- Ნაწილი ნომერი:
- IDH10G120C5XKSA1
- მწარმოებელი:
- Infineon Technologies
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტირისტორები - სკკ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Infineon Technologies IDH10G120C5XKSA1 electronic components. IDH10G120C5XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDH10G120C5XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDH10G120C5XKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
IDH10G120C5XKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
სერიები :
CoolSiC™
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
10A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.8V @ 10A
სიჩქარე :
No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
62µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F :
525pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO220-2-1
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
ცხელი ნაწილები
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR
选择你的位置