Diodes Incorporated - DMT6007LFGQ-13

KEY Part #: K6395115

DMT6007LFGQ-13 ფასები (აშშ დოლარი) [183252ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.20184

Ნაწილი ნომერი:
DMT6007LFGQ-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6007LFGQ-13 electronic components. DMT6007LFGQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6007LFGQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6007LFGQ-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMT6007LFGQ-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta), 80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 41.3nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2090pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI3333-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerVDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ