GeneSiC Semiconductor - S6M

KEY Part #: K6425444

S6M ფასები (აშშ დოლარი) [23353ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.41566
  • 200 pcs$2.40364

Ნაწილი ნომერი:
S6M
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4. Rectifiers 1000V 6A Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S6M electronic components. S6M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S6M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S6M პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S6M
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 6A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 6A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე : DO-203AA, DO-4, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-4
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T