Power Integrations - QH12BZ600

KEY Part #: K6425416

QH12BZ600 ფასები (აშშ დოლარი) [57691ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.70813
  • 800 pcs$0.70460

Ნაწილი ნომერი:
QH12BZ600
მწარმოებელი:
Power Integrations
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Power Integrations QH12BZ600 electronic components. QH12BZ600 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QH12BZ600, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QH12BZ600 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : QH12BZ600
მწარმოებელი : Power Integrations
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
სერიები : Qspeed™
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 12A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 3.1V @ 12A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 11.6ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 250µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 34pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • LXA03D530

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V 3A X-Series 3A 75nC 3.2A 0.34