Microsemi Corporation - APT18M100B

KEY Part #: K6395267

APT18M100B ფასები (აშშ დოლარი) [8145ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.56163
  • 10 pcs$5.00635
  • 100 pcs$4.11645
  • 500 pcs$3.44890

Ნაწილი ნომერი:
APT18M100B
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT18M100B electronic components. APT18M100B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18M100B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18M100B პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT18M100B
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4845pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 625W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247 [B]
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ