Infineon Technologies - IPP12CN10LGXKSA1

KEY Part #: K6398503

IPP12CN10LGXKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [48206ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.77767
  • 10 pcs$0.70324
  • 100 pcs$0.56510
  • 500 pcs$0.43952
  • 1,000 pcs$0.34449

Ნაწილი ნომერი:
IPP12CN10LGXKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - RF and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPP12CN10LGXKSA1 electronic components. IPP12CN10LGXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP12CN10LGXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP12CN10LGXKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPP12CN10LGXKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 69A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 83µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5600pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • VN2460N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3.

  • TP2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3.