GeneSiC Semiconductor - S6JR

KEY Part #: K6425038

Დეტალური აღწერა:: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4. Rectifiers 600V 6A REV Leads Std. Recovery

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and დიოდები - გასწორება - მასივები ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor S6JR electronic components. S6JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S6JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : S6JR

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard, Reverse Polarity

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 6A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 6A

სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : -

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 100V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount

პაკეტი / საქმე : DO-203AA, DO-4, Stud

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-4

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

ცხელი ნაწილები