Microsemi Corporation - JANTX1N6627US

KEY Part #: K6447657

JANTX1N6627US ფასები (აშშ დოლარი) [3515ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$12.31980

Ნაწილი ნომერი:
JANTX1N6627US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6627US electronic components. JANTX1N6627US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6627US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6627US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N6627US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/590
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 440V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.75A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.35V @ 2A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 440V
Capacitance @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, E
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RURD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

  • RURD660S9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

  • FFSD08120A

    ON Semiconductor

    1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

  • RURD460S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.