ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320D-3DBLA1

KEY Part #: K936901

IS46DR16320D-3DBLA1 ფასები (აშშ დოლარი) [15360ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.56938
  • 209 pcs$3.55162

Ნაწილი ნომერი:
IS46DR16320D-3DBLA1
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები, ჩაშენებული - მიკროპროცესორები, მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE), IC ჩიპები, ლოგიკა - ლატჩები, PMIC - V / F და F / V გადამყვანი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა and ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA1 electronic components. IS46DR16320D-3DBLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16320D-3DBLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320D-3DBLA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS46DR16320D-3DBLA1
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 333MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 450ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-TWBGA (8x12.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

  • EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA