Vishay Siliconix - SI1029X-T1-GE3

KEY Part #: K6525169

SI1029X-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [471021ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

Ნაწილი ნომერი:
SI1029X-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI1029X-T1-GE3 electronic components. SI1029X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1029X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1029X-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI1029X-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N and P-Channel
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 0.75nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 30pF @ 25V
ძალა - მაქსიმუმი : 250mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-563, SOT-666
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-89-6

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.