ON Semiconductor - FDB44N25TM

KEY Part #: K6415171

FDB44N25TM ფასები (აშშ დოლარი) [56399ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.69329
  • 800 pcs$0.64346

Ნაწილი ნომერი:
FDB44N25TM
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDB44N25TM electronic components. FDB44N25TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB44N25TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB44N25TM პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDB44N25TM
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
სერიები : UniFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 250V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 44A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2870pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 307W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D²PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVP4105A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

  • ZVP2120A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN0540A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

  • IRFIZ48G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

  • IRFI840G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

  • PMN23UN,135

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.