Microsemi Corporation - 1N5617

KEY Part #: K6441242

1N5617 ფასები (აშშ დოლარი) [12603ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.19948
  • 10 pcs$2.85750
  • 25 pcs$2.57157
  • 100 pcs$2.34307
  • 250 pcs$2.11446
  • 500 pcs$1.89731
  • 1,000 pcs$1.60014

Ნაწილი ნომერი:
1N5617
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL. Rectifiers D MET 1A FAST 400V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5617 electronic components. 1N5617 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5617, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5617 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5617
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.6V @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : 35pF @ 12V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : A, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier

  • SICR6650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • SICR10650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.