Cypress Semiconductor Corp - S29GL256S10DHI010

KEY Part #: K936879

S29GL256S10DHI010 ფასები (აშშ დოლარი) [15336ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.69747

Ნაწილი ნომერი:
S29GL256S10DHI010
მწარმოებელი:
Cypress Semiconductor Corp
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA. NOR Flash 256Mb 3V 100ns Parallel NOR Flash
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა, სპეციალიზებული აივ, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, PMIC - ძაბვის მითითება, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, ლოგიკა - ლატჩები and ლოგიკა - სპეციალობის ლოგიკა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL256S10DHI010 electronic components. S29GL256S10DHI010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL256S10DHI010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S29GL256S10DHI010 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S29GL256S10DHI010
მწარმოებელი : Cypress Semiconductor Corp
აღწერა : IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA
სერიები : GL-S
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 60ns
წვდომის დრო : 100ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 64-LBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 64-FBGA (9x9)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16