Ნაწილი ნომერი :
SQJ431AEP-T1_GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CHAN 200V
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9.4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
305 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
85nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
3700pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
68W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN